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當(dāng)前位置:首頁(yè) > 產(chǎn)品中心 > 硅基芯片 > 芯片 > ZGSOI納秒光開(kāi)關(guān)芯片陣列

SOI納秒光開(kāi)關(guān)芯片陣列

簡(jiǎn)要描述:SOI納秒光開(kāi)關(guān)芯片陣列該產(chǎn)品基于硅基載流子色散效應(yīng)實(shí)現(xiàn)納秒級(jí)高速響應(yīng)的光路切換,實(shí)現(xiàn)了多通道光開(kāi)關(guān)陣列的單片化集成,芯片與多通道光纖和外圍驅(qū)動(dòng)電路一體化光電封裝,熱電混調(diào),數(shù)字化驅(qū)動(dòng),偏振相關(guān)性小,插入損耗低

  • 產(chǎn)品型號(hào):ZG
  • 廠商性質(zhì):生產(chǎn)廠家
  • 更新時(shí)間:2023-10-18
  • 訪  問(wèn)  量:1164

詳細(xì)介紹

品牌梓冠

SOI芯片式高速光開(kāi)關(guān)陣列

        四川梓冠光電最新研發(fā)SOI芯片式高速光開(kāi)關(guān)陣列,該產(chǎn)品基于硅基載流子色散效應(yīng)實(shí)現(xiàn)納秒級(jí)高速響應(yīng)的光路切換,實(shí)現(xiàn)了多通道光開(kāi)關(guān)陣列的單片化集成,芯片與多通道光纖和外圍驅(qū)動(dòng)電路一體化光電封裝,熱電混調(diào),數(shù)字化驅(qū)動(dòng),偏振相關(guān)性小,插入損耗低。


〖性能指標(biāo)Specifications〗

參數(shù)指標(biāo)

Parameters

單位

Unit

最小值

Min.

典型值

Typ.

最大值

Max.

備注

Notes

波長(zhǎng)范圍

Wavelength range

nm

1530—1570 nm  or 1270nm—1330 nm

消光比

Extinction ratio

dB

19

20

22


插入損耗

Insertion loss

dB

1.6

1.8

2.0


回波損耗

Return loss

dB

40

50



偏振相關(guān)損耗

PDL

dB


0.3

0.5


驅(qū)動(dòng)電壓

drive voltage

V

0.9

1

1.2

@300ns

驅(qū)動(dòng)電流

drive current

mA

6

7

9

@300ns

芯片級(jí)響應(yīng)時(shí)間

Response Time

ns

30


300


熱調(diào)功耗

Thermal tuning power consumption

mW

30


50


通道數(shù)

number of channels


8—16或可定制

8—16 or Can be customized


光功率

Transmission optical power

mW

80


工作溫度范圍

Operating temperature range

°C

-20


50


工作濕度范圍

Operating humidity range

%



+65


芯片尺寸

Chip Dimensions

mm

20(L)×2.5 (W)×0.5(H)

或可定制

or can be customized

ZG

波長(zhǎng)

Wavelength

通道數(shù)

Number of channels

類型

Type


13=1310nm

15=1550nm

1=1CH

4=4CH

8=8CH

16=CH

XX=other

1=不帶熱調(diào)

1=Without temperature regulating thermistor

2=帶熱調(diào)

2=With temperature regulating thermistor

XX=other











































SOI納秒光開(kāi)關(guān)芯片陣列

SOI納秒光開(kāi)關(guān)芯片陣列



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